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硅片厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng)
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最后更新: 2012-03-08 09:05
 
詳細(xì)信息

產(chǎn)品介紹
PV-1000系列無(wú)接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測(cè)試系統(tǒng)為太陽(yáng)能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、(總厚度變化)TTV、翹曲及無(wú)接觸電阻率測(cè)量功能。并提供基于TCP/IP的數(shù)據(jù)傳輸接口及基于Windows的控制軟件,用以進(jìn)行在線及離線數(shù)據(jù)管理功能。
無(wú)接觸硅片綜合測(cè)試系統(tǒng)-產(chǎn)品特點(diǎn)
使用MTI Instruments獨(dú)有的推/拉電容探針技術(shù)
每套系統(tǒng)提供最多三個(gè)測(cè)量通道
可進(jìn)行最大、最小、平均厚度測(cè)量和TTV測(cè)量
可進(jìn)行翹曲度測(cè)量(需要3探頭)
用激光傳感器進(jìn)行線鋸方向和深度監(jiān)視(可選)
集成數(shù)據(jù)采集和電氣控制系統(tǒng)
為工廠測(cè)量提供快速以太網(wǎng)通訊接口,速率為每秒5片
可增加的直線厚度掃描數(shù)量
與現(xiàn)有的硅片處理設(shè)備有數(shù)字I/O接口
基于Windows的控制軟件提供離線和在線的數(shù)據(jù)監(jiān)控
提供標(biāo)準(zhǔn)及客戶定制的探頭
提供基于Windows的動(dòng)態(tài)鏈接庫(kù)用于與控制電腦集成
用渦電流法測(cè)量硅片電阻率

無(wú)接觸硅片綜合測(cè)試系統(tǒng)-技術(shù)指標(biāo)
■  晶圓硅片測(cè)試尺寸:50mm- 300mm.
   厚度測(cè)試范圍:1.7mm,可擴(kuò)展到2.5mm.
   厚度測(cè)試精度:+/-0.25um
   厚度重復(fù)性精度:0.050um
   測(cè)量點(diǎn)直徑:8mm
 TTV 測(cè)試精度:  +/-0.05um
 TTV重復(fù)性精度: 0.050um
   彎曲度測(cè)試范圍: +/-500um [+/-850um]
   彎曲度測(cè)試精度: +/-2.0um
   彎曲度重復(fù)性精度: 0.750um
電阻率測(cè)量范圍:5-2000ohm/sq(0.1-40ohm-cm)
電阻率測(cè)量精度:2%
電阻率測(cè)量重復(fù)精度:1%
晶圓硅片類型:?jiǎn)尉Щ蚨嗑Ч?/font>
材料:Si,GaAs,InP,Ge等幾乎所有半導(dǎo)體材料
可用在:切片后、磨片前、后,蝕刻,拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測(cè)等
平面/缺口:所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口
硅片安裝:裸片,藍(lán)寶石/石英基底,黏膠帶
連續(xù)5點(diǎn)測(cè)量
應(yīng)用范圍
> 切片
>>線鋸設(shè)置
    >>>厚度
      >>>總厚度變化TTV
     >>監(jiān)測(cè)
>>>導(dǎo)線槽
>>>刀片更換
>磨片/刻蝕和拋光
>> 過(guò)程監(jiān)控
>> 厚度
>>總厚度變化TTV
>> 材料去除率
>> 彎曲度
>> 翹曲度
>> 平整度
> 研磨
>> 材料去除率
> 最終檢測(cè)
>> 抽檢或全檢
>>  終檢厚度


典型客戶
美國(guó),歐洲,亞洲及國(guó)內(nèi)太陽(yáng)能及半導(dǎo)體客戶。
詢價(jià)單
小微企業(yè)

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