HIT升級空間大。晶硅電池的效率極限在30%左右，無論PERC還是HIT都達不到這個效率水平，PERC潛力預計在23%，HIT預計在26%，因此PERC和HIT都是光伏產業技術進步歷程中的過渡形態。

HIT +鈣鈦礦疊層市場可期

就近幾十年的技術探索結果而言，未來10年行業比較認可的技術方向是HIT+鈣鈦礦做疊層電池（Tandem）。HIT到疊層只需要增加3道設備，4層膜，成本增加約0.2元/瓦。HIT可以升級到疊層，HIT產線和下一代疊層產線可以完全兼容，大幅度降低了HIT產線被顛覆的風險。


市場：高端到低端，分布式到電站

HIT電池存在溢價。HIT具備高效率、低衰減、低溫度系數、高雙面率的優勢，目前23%效率的HIT電池售價1.6元/瓦，較21.9%效率的同尺寸PERC溢價0.65元/瓦。


HIT電池優異的特性對不同業主價值不一樣。在BOS越高、溫度越高，利用小時越高，電價越高的地區，HIT可以有更高溢價，因此HIT目前主要應用于歐美日等高BOS成本和中東等熱帶地區。

高效率：高效率可以攤低組件BOM成本和電站BOS成本，不同地區存在較大差別，國內1%效率優勢對應約8分/瓦的溢價，在歐美日等高BOS地區，高效率帶來的溢價會更高，這也是HIT目前主要市場在歐美日的原因。

低衰減：按8%折現率計算，低衰減溢價=0.37*利用小時/1000*不含稅電價*(1-所得稅率)。

低溫度系數：溢價=10.67*（組件溫度-25）*發電小時/1000*溫度系數差*不含稅電價 *（1-所得稅率），在中東等熱帶地區，溫度和發電小時都很高，特別適合HIT。

高雙面率：等效功率多10W，溢價1-2分，雙面得到客戶認可，但定價還有待規范。

高端到低端，分布式到電站。HIT的特性決定了其市場將由高端逐步滲透到低端，從分布式滲透到電站。光伏電池由于是ToB的產品，無法對客戶進行差異化定價，因此市場滲透過程中，HIT電池的價格會逐步降低，當前價格1.6元/瓦，預計規模化生產后價格將下降到1.2-1.3元/瓦。


硅片：P型轉N型，HIT+大硅片

硅片進入N型時代。N型硅片少子是空穴，壽命比P型高兩個數量級，且對金屬雜質不敏感，衰減低，因此更適合用來制作HIT電池。目前國內N型硅片供應商主要是隆基、中環、晶科，其工藝已經成熟，硅片環節的切換難度相對較低。


硅片尺寸分歧較大，大硅片主要是新產線在兼容。傳統電池產線使用M2硅片，明年主流預計是同尺寸但不帶倒角的G1。隆基主推的M6需要對現有產線進行改造，改造費用約2500萬元/GW,目前PERC電池廠盈利較弱，改造的積極性較低，因此主要是新建產線在配套M6。中環主推的M12則完全無法通過現有產線升級，只有新建產線才能兼容M12，但M12由于產業鏈各個環節改動較多，產業鏈配套尚未成熟，因此產業里觀望較多，僅頭部企業新建產能兼容了M12。從半導體產業發展經驗來看，硅片尺寸做大有利于降低成本。


HIT是板式工藝，更容易兼容大硅片。HIT生產工藝僅4步，清洗制絨機和絲網印刷機尺寸調節較為容易。PECVD和PVD都是板式設備，其加工能力取決于載板面積，比如梅耶博格的PECVD載板一次可以放置56片（7*8）硅片，美國應材的6代PECVD一次可以放置99片（9*11）硅片，硅片尺寸變大之后，可以通過做大載板面積或者減少硅片放置數量來解決，因此HIT工藝比較容易兼容大硅片。PERC電池有部分管式生產設備，硅片尺寸超過爐管直徑后只能更換設備。

PERC產線無法改造為HIT，新建HIT產線必然會考慮兼容大硅片。其實不管是新建PERC還是HIT抑或TOPCon產線，電池廠都會考慮對大硅片的兼容。但當前PERC技術完全擴散，壁壘較低，格局較散，盈利較弱，靠PERC推廣大硅片大概率會比較緩慢。如果HIT技術成熟，新建HIT產線必然會直接過渡到大硅片，這會加快大硅片的推廣。從目前產業調研情況來看，HIT設備廠普遍已經兼容M6硅片，或者直接就是按照M6硅片在設計，個別設備廠已經在往M12升級。