3月21日，高溫超導硅單晶設備及晶體生產項目在寧夏回族自治區銀川經濟技術開發區開工。

據悉，該項目計劃總投資100億元，占地面積430畝，分三期建設，其中一期計劃投資30億元，形成年產4萬噸高品質單晶硅、年產600臺高溫超導光伏級單晶硅生長設備的生產能力。一期項目建成后，可實現年銷售收入35億元，年利稅3.5億元，帶動就業1000余人。二期總投資30億元，建設年產200臺高溫超導半導體級單晶硅生長設備制造、1萬噸高品質半導體級硅晶體生長、切片項目。三期總投資40億元，建設高品質半導體級拋光片、退火片項目。

銀川經開區圍繞“中國新硅都”建設，已形成拉晶—切片—電池及坩堝、炭炭、串焊、支架等完整的產業鏈條，具備單晶硅棒147GW、硅片90GW、單晶電池15GW、光伏坩堝69萬只、支架80萬噸產能。