· Endura® Ventura™ PVD系統能將高深寬比的硅通孔（TSV）結構用于銅互連技術，并使成本降低多達50％
· 業界首款用于量產的PVD鈦阻擋層解決方案，顯著提升TSV可靠性

2014年5月28日，加利福尼亞州圣克拉拉——全球領先的半導體、平板顯示和太陽能光伏行業精密材料工程解決方案供應商應用材料公司今天宣布推出Endura® Ventura™ PVD 系統。該系統沿襲了應用材料公司在業界領先的PVD技術，并融入了公司最新創新成果，能夠完成連續薄的阻擋層和種子層的硅通孔（TSV）沉積，幫助客戶以更低廉的成本制造出體積更小、功耗更低、性能更高的集成3D芯片。Ventura系統還與眾不同地采用鈦作為阻隔材料，從而在量產的情況下很好的實現降低成本的目的，展現了應用材料公司在精密材料工程領域的專業技術。Ventura系統的推出進一步完善了應用材料公司的硅片級封裝(WLP)設備產品線，適用于硅通孔、再分布層（RDL）和凸點等各類應用。

TSV是垂直制造體積更小、功耗更低的移動和高帶寬器件中的關鍵技術。通孔是垂直穿過硅片的短互聯通道，可將器件的有源側連接到硅片的背面，是多個芯片間連接的最短互連路徑。集成3D堆疊器件需要將10:1以上深寬比的TSV進行銅互連。利用創新的材料和先進的沉積技術，全新的Ventura設備可有效解決這一問題，從而較先前的行業解決方案能更顯著的降低TSV制造成本。

應用材料公司副總裁兼金屬沉積產品事業部總經理 Sundar Ramamurthy博士介紹道：“憑借應用材料公司在銅互連技術領域超過15年的領導經驗，Ventura 系統能生產出可靠的高深寬比硅通孔，與銅互連PVD系統相比，可使阻擋層和種子層成本降低多達50%。這些創新成果可以幫助我們更顯著的提高產品性能和功能，實現功耗更低、更緊湊的芯片封裝，從而進一步滿足最尖端的技術需求。該款全新的PVD系統已獲得客戶認可，并將逐步用于大規模生產中。”

Ventura系統采用更先進的離子化PVD技術，進一步提高阻擋層和種子層的完整性，這對芯片的孔隙填充和互連尤為重要，從而能夠有效提高3D芯片的良率。此外，這些技術上的新突破能夠顯著改善離子的方向性，可在硅通孔中完成均勻連續的薄的金屬層沉積，從而實現TSV所需的無空隙填充。由于方向性的改善，沉積速率得以大幅提高，阻擋層材料和種子層材料的用量顯著減少。此外，Ventura系統采用鈦作為阻擋層材料，以期提高設備穩定性，降低TSV金屬化過程中的整體持有成本。

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*PVD = 物理氣相沉積
*凸塊下金屬化（Under Bump Metallization）= 用來連接模具基體