CdTe為直接帶隙半導體，室溫帶隙寬度為1.45 eV，帶隙值與太陽光譜非常匹配。CdTe吸收系數(shù)大于104/cm，只需要1 µm就可以吸收99 %以上、波長小于826 nm的可見光。厚度僅為硅太陽能電池厚度的1/100，制作周期短、成本低、適合于大規(guī)模生產(chǎn)。因此，以CdTe薄膜太陽能電池為代表的薄膜太陽電池因其高轉(zhuǎn)換效率、低成本和高穩(wěn)定性倍受科研和產(chǎn)業(yè)關(guān)注。

今年2月，美國First Solar公司通過氣相輸運方法這種高溫制備方法，制備的小面積CdTe太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率達到了20.4%，與多晶硅電池相同。3月，組件的全面積效率達到了17.0%，這種技術(shù)的生產(chǎn)成本也率先降低到了$0.55/Wp，是生產(chǎn)成本最低的太陽能電池技術(shù)，但其規(guī)模生產(chǎn)工藝技術(shù)一直為美國少數(shù)企業(yè)所壟斷。此外，使用低溫制備方法磁控濺射技術(shù)制備的CdTe多晶薄膜電池最高效率由美國Toledo大學保持，轉(zhuǎn)化效率為14.5%。

此次，電工所在沒有使用高阻層的情況下，采用全國產(chǎn)化設備和原料，制備出轉(zhuǎn)化效率達到14.4%的CdTe電池，充分證明了只要研究好器件制備的工藝技術(shù)，就能做到國外相同的水平。這一研究成果為我國CdTe薄膜太陽能電池的研究和產(chǎn)業(yè)化奠定了基礎，將使我國在CdTe電池產(chǎn)業(yè)化得到長足發(fā)展。
以上工作得到了中國科學院百人計劃擇優(yōu)支持、電工所所科研基金的大力支持。