意法半導體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數校正(PFC, Power-Factor Correction)轉換器等應用的能效和耐用性。

　　意法半導體的新H系列1200V IGBT將關斷損耗和導通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標準集極電流和100°C下的典型值)，這能確保總體損耗降至最低，在20kHz開關頻率下更高效地工作。

　　此外， 新款1200V IGBT提供集成高速恢復反并聯二極管的選項，以助力開發人員優化硬開關電路的性能，使用續流二極管大幅降低開關電路的能源損耗。

　　新款IGBT的耐用性極強，當實際電流是標準電流的四倍時無閂鎖效應，短路時間極短，僅5µs(在150°C 初始結溫時)。最大工作結溫擴大到175°C，有助于延長產品的使用壽命，簡單化系統散熱設計。寬安全工作區(SOA，Safe Operating Area)提升大功率應用的工作可靠性。

　　優異的防電磁干擾(EMI，electromagnetic interference)是新產品的另一大優點，這歸功于新系列產品在開關過程中取得近乎理想的波形，令競爭產品望塵莫及。Vce(sat)的正溫度系數，結合器件之間參數分布緊密，使其在大功率應用中實現更安全的并行工作。

　　意法半導體的H系列IGBT現已量產，采用TO-247封裝，有15A、25A和 40A三個型號。