近日，中國科學院北京納米能源與系統研究所王兆娜博士，于若蒙和溫肖楠等人在王中林院士的領導下首次實現了壓電光電子學效應優化的硅基可見光傳感器。這項工作首次利用壓電半導體的壓電效應來調控非壓電半導體材料硅的光電性能，并在實驗上首次觀察到壓電光電子學效應對光電流調控的最優化效果。在壓電光電子學效應的調控下，光探測器的響應相對增強了177%，同時響應時間也相對縮減了87%。這項研究結果為非壓電材料的光電性能的調控開啟了一種便于操控的新途徑，并進一步拓寬壓電效應在非壓電材料中的應用。相關研究成果發表在ACS Nano雜志上（DOI 10.1021/nn506427p）。

論文通訊作者王中林院士是中國科學院北京納米能源與系統研究所首席科學家，研究所是由中國科學院和北京市聯合共建的科研機構。