5月24日，在第十屆上海SNEC論壇光伏科學家大會上，保利協鑫CTO萬躍鵬博士以“多晶靠什么保持市場領先”為主題，系統性闡述了多晶硅片在市場上保持長期優勢的原因以及目前多晶硅片發展的現狀。他認為，多晶硅片通過黑硅技術的應用推廣，在未來五到十年內還將占領市場主導地位。

萬躍鵬表示，黑硅技術應用于金剛線切硅片制絨將成為未來多晶硅片的一個發展方向。金剛線切割多晶，可以使單位重量出片數增加約17%，硅片成本下降約15%（0.4-0.6元/片），保持多晶硅片在成本上的優勢；黑硅技術則能有效提高組件功率，其中干法（RIE）黑硅可促進電池效率提高0.4%-0.6%，處于實驗階段的濕法（MCCE）黑硅可促進電池效率提高0.2%-0.4%。

一直以來多晶在市場上都占有著絕對優勢，其原因歸功于多晶硅片的高性價比，萬躍鵬援引數據指出，高效多晶技術不斷優化晶體結構，目前多晶在晶體缺陷方面與單晶的效率差異大幅降低到0.2%左右，就客戶端表現情況來看，單晶與多晶之間并無明顯差別。加之鑄錠產能提升和結構線等技術對多晶成本的進一步降低，使得多晶能夠保持市場優勢。但近兩年來單晶技術的發展使得單晶成本有明顯下降，給多晶造成一定壓力。多晶亟待進一步的技術升級，才能繼續以性價比優勢主導光伏市場。

萬躍鵬表示，除黑硅技術和金剛線切割以外，多晶路線還有其他技術優勢。他以鑫多晶S4為例指出，多晶可以通過增加鑄錠尺寸，有效降低成本；可以通過應用高純坩堝等先進輔材，有效解決多晶黑邊和轉換效率問題；可以應用全新的共摻雜技術，徹底解決多晶電池的光衰問題，為后續的PERC等高效工藝提供更寬廣的空間；可以優化尺寸設計，有效提高后端組件的輸出功率。這些成功的技術嘗試，說明了未來多晶路線具備更寬廣的發展空間。他同時也希望，正在被大規模產業化的PERC電池能夠成為多晶硅片又一個發展舞臺，在多晶領域將得到更廣泛的應用。萬躍鵬由此預測，未來五到十年內，多晶通過技術升級，還將不斷提升轉換效率，降低發電成本，以高性價比和技術優勢，將繼續占領市場主導地位。