黑斑黑點(diǎn)問題一直是電池片良率提升的前兩項(xiàng)問題，黑斑的種類多，從異常的產(chǎn)生來講可以分為兩類，一類為偶然工藝原因，此類主要有不規(guī)則、不定期的特點(diǎn)，另一類是規(guī)則出現(xiàn)，特征性強(qiáng)。本文主要通過實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)找出黑斑黑點(diǎn)問題展開分析并得出一些結(jié)論供大家學(xué)習(xí)參考。

延伸：

減拋刻蝕工序：去除非擴(kuò)散面及四周的磷硅玻璃，硅片存在藥液殘留風(fēng)險(xiǎn)，裸露在環(huán)境中，容易受到粉塵污染；退火工序：抗PID，消除表面的晶格缺陷，硅片直接裸露在環(huán)境中，容易受到粉塵污染，高溫工藝加劇污染程度；背鈍化工序：通過在電池片背面生長AlOx+SiNx復(fù)合膜對(duì)電池的背表面進(jìn)行鈍化，極大地改善電池片的長波響應(yīng)，有效降低背表面復(fù)合，提高開路電壓，增加背表面反射；硅片直接裸露在環(huán)境，容易受到粉塵污染，鈍化膜不均勻?qū)е潞诎弋a(chǎn)生；正鍍膜工序：在硅片表面均勻的鍍上一層高效的減反射膜，減少光的反射損失，增強(qiáng)了吸收光的強(qiáng)度，提高電池效率，同時(shí)有鈍化作，正膜成膜前硅片直接裸露在環(huán)境，容易受到粉塵污染。

減拋刻蝕工序：去除非擴(kuò)散面及四周的磷硅玻璃，硅片存在藥液殘留風(fēng)險(xiǎn)，裸露在環(huán)境中，容易受到粉塵污染；退火工序：抗PID，消除表面的晶格缺陷，硅片直接裸露在環(huán)境中，容易受到粉塵污染，高溫工藝加劇污染程度；背鈍化工序：通過在電池片背面生長AlOx+SiNx復(fù)合膜對(duì)電池的背表面進(jìn)行鈍化，極大地改善電池片的長波響應(yīng)，有效降低背表面復(fù)合，提高開路電壓，增加背表面反射；硅片直接裸露在環(huán)境，容易受到粉塵污染，鈍化膜不均勻?qū)е潞诎弋a(chǎn)生；正鍍膜工序：在硅片表面均勻的鍍上一層高效的減反射膜，減少光的反射損失，增強(qiáng)了吸收光的強(qiáng)度，提高電池效率，同時(shí)有鈍化作，正膜成膜前硅片直接裸露在環(huán)境，容易受到粉塵污染。

解決思路：

原因1解決思路：控制5.0μm級(jí)粉塵，減少0.5μm級(jí)懸浮顆粒，可有效減少車間黑斑發(fā)生率；鍍膜工序的車間潔凈度控制在千級(jí)范圍內(nèi)，黑斑發(fā)生率能控制在2%以下。

原因2解決思路：優(yōu)化氧化鋁沉積溫度、壓力、流量等參數(shù)；提升氧化鋁鈍化的均勻性；增強(qiáng)濕法清洗效果，減少1藥液殘留。