世紀新能源網消息：1月21日，大功率IGBT產業化建設工程主體混凝土封頂儀式在株洲南車時代電氣股份有限公司舉行，這標志著該項目順利完成了首個里程碑節點，保障了項目建設進度，為實現2013年底投入試生產的總目標打下了堅實基礎。株洲所副總經理曾鴻平、大功率半導體器件IGBT產業化建設項目建設總指揮彭華文等出席了封頂儀式。

大功率IGBT產業化建設項目于2010年啟動，2012年7月初完成項目用地交付并進入實體建設階段。項目擬建設一條年產12萬片的8英寸IGBT芯片產業化生產線，以及其配套的高標準凈化芯片制造及封裝、測試廠房及其附屬設施，建成后將可實現生產600V-6500V IGBT/FRD芯片，并配套形成年產30萬只中高壓模塊的封裝及測試能力，形成從芯片設計-模塊封裝-系統應用的完整產業鏈，實現南車在電力電子器件方面的技術升級及產業整體競爭力的全面提升。項目的實施將改變我國在重大戰略性產業中技術受制于人、產品依賴進口的不利局面，提升我國軌道交通、新能源、電動汽車、智能電網等重大裝備制造業的核心競爭力，因此受到了國家及政府的高度重視，先后被列為國家發改委、科技部、湖南省及株洲市重點項目。