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GT Advanced Technologies宣布其前沿HiCz(TM)技術贏得光伏項目

   2014-06-17 世紀新能源網13750
核心提示:新罕布什爾州梅里馬克 2014-06-17--GT Advanced Technologies Inc.(納斯達克代碼:GTAT)今日宣布,公司專有的新一代HiCz連續加料直拉技術
新罕布什爾州梅里馬克 2014-06-17--GT Advanced Technologies Inc.(納斯達克代碼:GTAT)今日宣布,公司專有的新一代HiCz連續加料直拉技術贏得了一個新項目,可望促進太陽能產業向更高效率及更低成本的太陽能材料過渡。 公司與Qatar Solar Energy(QSE)達成協議,向QSE于卡塔爾在多哈的集成光伏制造項目提供HiCz(TM)200熔爐。 QSE在最近的一份新聞稿中表示,QSE已實現了300 MW產能的綜合設施,并將進一步擴大至2.5 GW。 該供應協議須待QSE通過政府批準及融資成功后方可作實,屆時GT將獲得來自QSE的設備訂單。

“我們很高興GT能被選擇為QSE提供HiCz(TM)200單晶熔爐,”GT太陽能業務部行政副總裁Dave Keck表示。 “我們領先的HiCz技術被中東及北非地區首個垂直一體化光伏制造廠所采用,對GT來說這是一個令人興奮的機會。 GT的 HiCz 200熔爐可望生產效率超過22%的優質n型太陽能電池片。”

HiCz是GT專有的新一代光伏行業的單晶直拉爐,可生產p型及n型單晶晶棒。 HiCz連續加料長晶工藝比傳統的間歇式Cz熔爐更具明顯優勢,使得其更適合n型硅錠生產。 HiCz長晶工藝生產更長的晶棒、材料均勻性更高、電阻率更低。 該工藝流程通過增加產量降低晶片的成本,提高了材料品質,并有助于提高太陽能電池片的效率。

關于GT Advanced Technologies Inc.

GT Advanced Technologies Inc.是一家領先的多元化技術公司,專門為全球消費類電子產品、功率元器件產品、太陽能及LED行業生產先進材料及創新晶體生長設備。其技術創新讓更多的先進材料可以加快投入市場使用,并在全球各個不同市場催生新一代的產品面世。有關GT Advanced Technologies的更多信息,請瀏覽www.gtat.com。
 
標簽: GTAT
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