同韓國其他主要消費驅(qū)動型電子公司相似，LG電子也將民用、商用和公共事業(yè)用太陽能市場視為業(yè)務(wù)發(fā)展的關(guān)鍵領(lǐng)域。在SPI2010(SolarPowerInternational2010，2010國際太陽能展)上，LG電子隆重推出了大量新型晶硅及薄膜高效太陽能組件。公司希望通過在未來五年內(nèi)向旗下太陽能電池研發(fā)制造部門進行8.2億美元的投資，來實現(xiàn)其全球太陽能業(yè)務(wù)在2015年獲得24億美元收益額的目標，并同時將產(chǎn)能提至1GW以上。

　　“美國是全球增長最快的太陽能市場之一。同時，在聯(lián)邦及各州政府刺激政策的驅(qū)動下，該市場有望在未來幾年內(nèi)出現(xiàn)較大幅度的增長。”LG電子(北美)太陽能部門副總裁杰夫?斯萊文(GeoffSlevin)先生表示(斯萊文先生于今年離開卡萊爾能源服務(wù)和BPSolar加盟LG電子)，“LG電子對美國市場進行開發(fā)的時機十分適宜，這個市場目前對于高質(zhì)、耐用、具有創(chuàng)新性的太陽能產(chǎn)品的需求量極大，并且無論是消費者還是企業(yè)，都希望能有一家引領(lǐng)全球相關(guān)技術(shù)的企業(yè)來提供這些產(chǎn)品。”  

　　盡管LG電子旗下采用其第二代生產(chǎn)技術(shù)所產(chǎn)出的高功率單晶組件直至2011年才會正式面市，該產(chǎn)品所具有的許多特性已被公認為該市場內(nèi)的主流前沿技術(shù)。   

　　LG電子表示，該產(chǎn)品在硅片表面應(yīng)用了反應(yīng)性離子蝕刻技術(shù)(reactiveionetching，簡稱RIE)，以統(tǒng)一產(chǎn)品表面的光滑度，從而提高光捕捉率。RIE技術(shù)是半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)的一種常見制造工藝，多用來實現(xiàn)或提高制造半導體的工藝。   

　　公司還啟用了金屬纏繞式(metalwrapthrough，簡稱MWT)技術(shù)，通過移除對晶硅組件前表面的寬帶來增加電池表面積，從而提高電池效率。公司還宣稱旗下的多晶硅組件也解決了光致降解(lightinduceddegradation，簡稱LID)的問題。   

　　除了推出其改善了排水功能和韌性的獨家輕質(zhì)陽極氧化框架設(shè)計以外，公司決定向盡可能多的市場細分進軍。   

　　在薄膜方面，LG電子表示將面向商用及公共事業(yè)用市場推出一款轉(zhuǎn)換率為11%的串聯(lián)結(jié)晶硅薄膜組件。但是，LG電子并未披露具體出貨日期等細節(jié)。   

　　隨著三星電子正式進軍太陽能電池市場的舉動，以及現(xiàn)代重工已步入組件市場，韓國各主要電子公司均已將其發(fā)展目光轉(zhuǎn)向了太陽能產(chǎn)業(yè)，因此，對他們來說，北美將成為一個十分搶手的市場。